Чистота — залог конкурентоспособности: обзор технологических достижений отечественных предприятий, производящих порошок карбида кремния высокой чистоты
2026-09-15
Качество подложки из карбида кремния напрямую зависит от характеристик исходного порошка высокой чистоты. Степень чистоты, виды и концентрация примесей, а также размер частиц — любые, даже незначительные отклонения от нормы неизбежно и многократно усиливаются в процессе роста кристалла. В настоящее время ряд отечественных предприятий решает ключевые задачи, связанные с синтезом порошка, его очисткой и прецизионным контролем гранулометрического состава, постепенно преодолевая технологические барьеры. Будучи важнейшим материалом, порошок карбида кремния высокой чистоты стал объектом совместных усилий отечественных компаний по достижению технологического прорыва.
1. Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd.
Компания Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd. специализируется на исследованиях, разработках и производстве карбида кремния — полупроводникового материала третьего поколения. Благодаря собственным инновационным разработкам компания полностью освоила технологии создания оборудования для выращивания кристаллов карбида кремния и получения порошка высокой чистоты, а также процессы производства монокристаллических подложек из карбида кремния n-типа и полуизолирующего карбида кремния высокой чистоты. Предприятие создало комплексную производственную линию, охватывающую все этапы: от получения порошка карбида кремния до выращивания монокристаллов и обработки пластин.
2. Beijing Tankeblue Semiconductor Co., Ltd.
Компания Beijing Tankeblue Semiconductor Co., Ltd., основанная в 2006 году и базирующаяся в пекинском районе Дасин, является национальным высокотехнологичным предприятием и пионером в Китае в области исследований, разработки, производства и продажи монокристаллических подложек из карбида кремния (SiC) — полупроводникового материала третьего поколения — и сопутствующей продукции. Компания входит в число ведущих поставщиков монокристаллических подложек из SiC в стране, обладая значительными производственными мощностями и широким ассортиментом продукции.
Компания разработала комплекс из семи ключевых технологий (на все из которых оформлены права интеллектуальной собственности), охватывающий весь цикл производства материалов из SiC: от создания печей для выращивания монокристаллов SiC, синтеза сырья, выращивания и обработки кристаллов до обработки пластин, их очистки, контроля качества и подготовки эпитаксиальных пластин. Порошок карбида кремния производства компании отличается высокой чистотой (до 99,9995%) и однородным размером частиц; выращенные из этого материала монокристаллы SiC получили широкое признание в отрасли.
3. Shandong Tianyue Advanced Material Technology Co., Ltd.
Компания Tianyue Advanced — мировой лидер в отрасли полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной. С момента своего основания компания сосредоточилась на исследованиях, разработках и промышленном внедрении высококачественных подложек из карбида кремния (SiC). Благодаря разработке высоковакуумных реакционных камер для порошков, использованию графитовых материалов высокой чистоты и созданию специализированных технологических процессов, компания производит частицы порошка SiC сверхвысокой чистоты, поддерживая концентрацию основных электроактивных примесей на уровне ниже 0,05 ppm.
4. Hoshine Silicon Industry Co., Ltd.
Компания Hoshine Silicon полностью освоила ключевые технологические процессы по всей цепочке производства SiC, включая синтез сырья, выращивание кристаллов, обработку подложек и производство эпитаксиальных пластин. Компания преодолела технические барьеры, связанные с ключевыми материалами (такими как пористый графит и материалы для покрытий) и оборудованием; выход годной продукции из SiC у компании — самый высокий в отрасли на внутреннем рынке, а по ключевым техническим показателям она сравнялась с ведущими международными предприятиями.
Компания продолжает укреплять свои позиции в сегменте порошков SiC высокого класса. Она успешно разработала керамические порошки SiC сверхвысокой чистоты, отвечающие потребностям в специализированных порошках высокой чистоты для таких областей, как полупроводники, газотермическое напыление и производство высокотемпературных конструкционных компонентов, а также полуизолирующие порошки SiC высокой чистоты, пригодные для выращивания кристаллов SiC ювелирного качества и кристаллов для оптических волноводов.
5. Henan Zhongyi Chuangxin Development Co., Ltd.
Henan Zhongyi Chuangxin Development Co., Ltd. — это совместное предприятие, созданное при участии Pingdingshan Development Investment Holding Group Co., Ltd. и China Shenma Holding Group Co., Ltd. Компания инвестировала средства в проект и построила производственный комплекс мощностью 1000 тонн порошка SiC высокой чистоты электронного класса в год (первая очередь); в настоящее время производственная мощность составляет 500 тонн в год. Компания Zhongyi Chuangxin создала совместную лабораторию по исследованиям в области полупроводников из карбида кремния (SiC) совместно с Ханчжоуским международным центром научно-технических инноваций Чжэцзянского университета и компанией Lianke Semiconductor Co., Ltd. Кроме того, в сотрудничестве с Pingdingshan Yicheng New Material Co., Ltd. она построила лабораторию микропорошков SiC, аккредитованную на национальном уровне (CNAS), и Исследовательский институт индустрии функциональных материалов из SiC провинции Хэнань, постепенно сформировав комплексную систему контроля качества и НИОКР. Благодаря постоянным технологическим прорывам компания решила ряд отраслевых проблем и сформировала портфель прав интеллектуальной собственности на ключевые технологии. Ее производственные возможности достигли передового международного уровня, что позволило эффективно решить проблему давней зависимости страны от импорта полупроводниковых материалов из SiC. В настоящее время чистота порошка карбида кремния (SiC), разработанного Zhongyi Chuangxin, достигает 99,9999998% (8N8), что выводит качество продукции компании на лидирующие позиции в отрасли. Этот материал особенно хорошо подходит для выращивания толстых монокристаллических слитков SiC диаметром 8 и 12 дюймов; его уникальные технические преимущества позволяют точно соответствовать требованиям к ключевым компонентам в таких стратегически важных новых отраслях, как производство автомобилей на новых источниках энергии и технологии связи 5G.
6. Shaoxing Jingcai Technology Co., Ltd.
Shaoxing Jingcai Technology Co., Ltd. — одно из немногих отечественных предприятий, способных производить порошок карбида кремния полупроводниковой чистоты с размером частиц от субмикронного до миллиметрового диапазона. Компания специализируется на производстве поликристаллического порошка для выращивания монокристаллов SiC третьего поколения; графитовых порошков, компонентов и войлока высокой чистоты; порошков сверхвысокой чистоты для высокоточных специализированных керамических компонентов из SiC, используемых в производстве полупроводников; а также теплопроводящих наполнителей для материалов, обеспечивающих теплоотвод в сфере 5G.
Сотрудничая с ведущими отечественными университетами в области технических исследований и разработок, компания создала центр НИОКР и испытаний порошковых материалов высокой чистоты, а также производственную базу для выпуска порошка SiC сверхвысокой чистоты. Техническая команда компании обладает почти двадцатилетним опытом выращивания искусственных кристаллов и разработки технологий создания новых материалов на основе кремния. Они самостоятельно освоили технологию синтеза in situ поликристаллического порошка карбида кремния (SiC) высокой чистоты и обладают более чем десятью национальными патентами на изобретения.
7. Xi'an Boer New Materials Co., Ltd.
Компания Xi'an Boer New Materials Co., Ltd. — это высокотехнологичное предприятие государственного уровня, специализирующееся на исследованиях, разработках, производстве и продаже высококачественных микропорошков и нитевидных кристаллов (вискеров) карбида кремния (SiC), а также изделий на их основе. Компания также является специализированным предприятием, самостоятельно разработавшим технологию промышленного производства микропорошков и нитевидных кристаллов кубического карбида кремния (β-SiC).
Флагманский продукт компании — кубический карбид кремния — был включен в перечень ключевых новых материалов Департаментом промышленности и информационных технологий провинции Шэньси и Министерством промышленности и информационных технологий КНР. Он широко применяется в таких сферах, как производство полупроводниковых чипов, корпусирование электроники и создание высокотехнологичной керамики. Компания занимает лидирующие позиции в отрасли в таких областях, как прецизионная классификация и модификация поверхности микропорошков SiC.
8. Shandong Guojing Electronic Technology Co., Ltd.
Компания Shandong Guojing Electronic Technology Co., Ltd., основанная в 2018 году, привлекла команду экспертов мирового уровня в области кристаллических материалов из карбида кремния. Компания самостоятельно разработала метод синтеза AD3S для производства микропорошка карбида кремния чистотой 5N (99,999%), успешно преодолев технологические барьеры, препятствовавшие массовому производству высокочистого сырья из карбида кремния. Кроме того, компания разработала 6-дюймовую установку для выращивания монокристаллов карбида кремния с двумя тиглями; эта инновация, позволяющая выращивать два кристалла одновременно в одной печи, стала первой в мире, заполнив критически важный пробел в отечественной производственной цепочке и обеспечив соответствие техническим стандартам мирового уровня.
Высокочистый порошок карбида кремния производства компании синтезируется по запатентованной технологии, обеспечивающей чистоту более 99,999% и содержание примесей (таких как B, Al, P) на уровне ниже 1 ppm. Ассортимент продукции включает варианты как α-, так и β-фазы с различными размерами частиц, что делает их пригодными в качестве сырья для выращивания монокристаллов карбида кремния и производства прецизионных керамических компонентов, используемых в оборудовании для полупроводниковой промышленности и производстве светодиодов (LED).
9. Zongjing Technology
Компания Zongjing Technology была основана в июне 2023 года, а в октябре 2025 года завершила раунд финансирования Pre-A. Компания перенесла штаб-квартиру в город Тунсян (городской округ Цзясин) и зарегистрировала операционную структуру — Jiaxing Zongjing Technology Co., Ltd. Опираясь на опыт команд, занимающихся техническими исследованиями, разработками и внедрением технологий в производство, компания сотрудничает с Чунцинским институтом «зеленых» и интеллектуальных технологий (при Китайской академии наук) и Чунцинским университетом почты и телекоммуникаций. Цель этого сотрудничества — решение ключевых технологических проблем («узких мест»), сдерживающих развитие полупроводниковой отрасли страны. Компания сформировала портфель продуктов, защищенных правами интеллектуальной собственности, в который входят порошки и кристаллы карбида кремния (SiC), монокристаллический и поликристаллический алмаз, а также алмазные композитные материалы для теплоотвода.
В сфере материалов на основе карбида кремния компания преодолела основные технические барьеры, связанные с синтезом порошков высокой чистоты. Флагманский продукт компании — порошок карбида кремния высокой чистоты — обладает рядом преимуществ: сверхвысокая чистота (99,99999% и выше), сверхнизкое содержание кислорода (менее 0,3 мас. %), равномерный размер частиц (с возможностью точной настройки в диапазоне от нано- до микромасштаба) и стабильная кристаллическая структура (содержание фаз 3C/4H превышает 99,5%).
10. Ningbo Alpha Semiconductor Co., Ltd.
Ningbo Alpha Semiconductor Co., Ltd. — высокотехнологичное предприятие, специализирующееся на исследованиях и разработках (НИОКР), производстве и продаже материалов из карбида кремния (SiC) — полупроводника третьего поколения. Основная продукция компании включает высокочистый порошок SiC, слитки и подложки. Компания была основана в 2018 году с уставным капиталом 100 млн юаней; она занимает территорию площадью 105 му (около 7 гектаров), а площадь производственных помещений составляет 4000 квадратных метров. В настоящее время компания запустила производственные линии для выпуска 6- и 8-дюймовых подложек из SiC, а также успешно разработала технологию производства 12-дюймовых подложек из SiC.
Порошок α-SiC (n-типа) производства компании имеет чистоту ≥6,5N и используется для выращивания проводящих монокристаллов SiC, применяемых в полупроводниках третьего поколения. Порошок α-SiC (полуизолирующего типа) также отличается чистотой ≥6,5N и применяется для выращивания полуизолирующих монокристаллов SiC и слитков муассанита (драгоценного камня). Порошок β-SiC (типа 3C) с чистотой ≥4N широко используется в таких отраслях, как полупроводниковая промышленность, фотоэлектрическая энергетика и оборонная промышленность (для производства керамики из SiC).
11. Zhonggui (Shandong) Silicon-Aluminum New Materials Co., Ltd.
Компания Zhonggui (Shandong) Silicon-Aluminum New Materials Co., Ltd. была основана в 2019 году и располагается в городе Цзинань (провинция Шаньдун). В результате многолетних исследований и разработок компания преодолела технические барьеры, препятствовавшие массовому производству высокочистого ультрадисперсного порошка SiC методом химического осаждения из газовой фазы (CVD). Получаемый микропорошок SiC относится к β-модификации (фаза 3C) и имеет чистоту в диапазоне от 4N до 6N; частицы характеризуются однородностью (преимущественный размер — от 200 до 1300 нанометров) и сферической формой.
Переходя от чистоты 5N к 8N8 и от лабораторных достижений к масштабному серийному производству, отечественные предприятия ускоряют технологическое развитие в сфере производства порошка карбида кремния (SiC) высокой чистоты. Каждый качественный скачок в чистоте порошка влечет за собой соответствующее повышение качества выращивания монокристаллов SiC, тем самым создавая более надежную материальную базу для производства ключевых компонентов в таких стратегически важных и перспективных отраслях, как электротранспорт, связь 5G и фотоэлектрические системы накопления энергии.
