Строго контролируемое содержание примесей (10 ppm), графитовый порошок 5N преодолевает проблемы очистки, возникающие в высокотехнологичных экспериментах и полупроводниковой промышленности.
Сверхчистый графитовый порошок 5N обеспечивает чистоту углерода 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm. На протяжении всего процесса он герметично упакован в высокоч...
Микропорошок из черного карбида кремния с твердостью по шкале Мооса 9,5 подходит для традиционных промышленных процессов шлифовки.
Микропорошок из черного карбида кремния содержит ≥98% SiC, при этом строго контролируется содержание оксида железа и примесей свободного углерода. Он обладает твердостью по шкале Мооса 9,5, демонст...
Ключевое преимущество – монокристаллическая фаза; микропорошок 4H-SiC поддерживает выращивание монокристаллов полупроводников.
В отличие от кубического 3C-SiC, 4H-SiC представляет собой гексагональный однофазный карбид кремния. Высокочистый порошок 5N обеспечивает долю кристаллической фазы 4H ≥99%, с общим содержанием мета...
ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов совершила технологический прорыв: успешно осуществила массовое производство наноразмерного порошка карбида кремния 5N
После успешного массового производства сверхчистого графитового порошка марки 6N ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов . вновь преодолела ключевые технологические трудности, успешно...