
2026-06-11
В отличие от кубического 3C-SiC, 4H-SiC представляет собой гексагональный однофазный карбид кремния. Высокочистый порошок 5N обеспечивает долю кристаллической фазы 4H ≥99%, с общим содержанием металлических примесей ниже 0,5 ppm, что делает его специализированным порошком для выращивания монокристаллов, эпитаксиальных подложек и полупроводниковых теплоотводящих материалов.
Гексагональная кристаллическая фаза по своей природе обладает превосходными полупроводниковыми электрическими свойствами, с теплопроводностью, превосходящей системы 3C той же чистоты. Азотная защитная упаковка изолирует его от примесей воздуха. Диапазон размеров частиц ориентирован на сверхтонкие характеристики от 50 нанометров до 5 микрометров, специально разработанные для полировки пластин методом химико-механической полировки (CMP) и теплоотводящих материалов силовых устройств.
Полная система тестирования включает в себя анализ COA и полноспектральный анализ GDMS, позволяющий точно количественно определять следовые количества металлических примесей. Поддерживается повторная инспекция сторонней организацией SGS. Продукт не входит в список товаров двойного назначения, что упрощает процедуры трансграничного экспорта. Доставка в русскоязычные регионы осуществляется в течение 12-15 дней по установленным маршрутам.
Производственная цепочка силовых полупроводников и радиочастотных устройств быстро развивается, и спрос на монокристаллические подложки из карбида кремния растет с каждым годом. Порошок кристаллической фазы 4H является основным сырьем в процессе выращивания кристаллов на подложке. Традиционный поликристаллический смешанный карбид кремния приводит к увеличению дефектов подложки. Высокочистая монокристаллическая фаза 4H-SiC 5N эффективно снижает частоту дефектов при выращивании монокристаллов, что делает ее важным сырьем для отечественных и зарубежных производителей полупроводниковых материалов, а также обеспечивает стабильные поставки высокочистого монокристаллического порошка зарубежным компаниям-производителям электроники.