
2026-06-30
Микропорошок сверхчистого 3C-SiC марки 5N обладает чистотой SiC 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm, а содержание кубической β-фазы составляет ≥99%. Это передовое порошковое сырье для полупроводниковых силовых устройств третьего поколения, сверхточной керамики и высококачественных теплопроводящих материалов.
Процесс получения сверхчистого материала значительно снижает содержание тяжелых металлов, кислорода и углерода. Отсутствие загрязнений в процессе высокотемпературного спекания и полировки пластин обеспечивает стабильные электрические характеристики полупроводниковых компонентов. Доступны настраиваемые размеры частиц от микрометров до нанометров, с превосходной дисперсией в сверхтонких наноразмерных порошках, подходящих как для лабораторных исследований и разработок, так и для крупномасштабных передовых производственных линий.
Соответственно, стандарты контроля качества модернизированы. Каждая партия включает базовый отчет COA, а также данные масс-спектрометрии GDMS с полным анализом элементов, всесторонне фиксирующие содержание различных примесей. Независимая экспертиза SGS может помочь в процессе проверки. Наша продукция экспортируется за рубеж в соответствии с требованиями законодательства, со стандартизированной упаковкой на всех этапах и стабильно поставляется в русскоязычные регионы, такие как Москва и Санкт-Петербург.
С точки зрения развития отрасли, расширение полупроводниковой промышленности третьего поколения продолжает повышать порог чистоты порошков. Обычный карбид кремния 3N и 4N больше не может удовлетворять потребности в подложках для чипов и силовых устройствах. Сверхчистый 3C-SiC 5N, благодаря своей исключительной чистоте и стабильной кристаллической фазовой структуре, стал ключевым расходным материалом для научно-исследовательских институтов и ведущих полупроводниковых компаний, способствуя импортозамещению отечественного высокочистого порошка карбида кремния и одновременно открывая новые трансграничные каналы поставок материалов.