Благодаря значительному преимуществу самозатачивания, микропорошок из зеленого карбида кремния занимает лидирующие позиции на рынке высокоточной полировки.
Микропорошок из зеленого карбида кремния обладает чистотой SiC в диапазоне 98,5%-99%, с более низким содержанием примесей оксида железа и свободного углерода, чем черный карбид кремния. При сохране...
Сверхчистый 3C-SiC 5N с содержанием примесей всего 10 ppm идеально подходит для передовых исследований и разработок в полупроводниковой отрасли.
Микропорошок сверхчистого 3C-SiC марки 5N обладает чистотой SiC 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm, а содержание кубической β-фазы составляет ≥99%. Это передовое...
Делегация экспертов из Ланьчжоуского института химической физики Китайской академии наук (КАН) посетила префектуру Линься для изучения и координации преобразований в научно-технической сфере.
18 июня делегация профессоров из Ланьчжоуского института химической физики КАН посетила префектуру Линься и провела углубленные исследования и координацию с компанией Gansu Huarui Hongcheng New Mat...
ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов
ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов . активно работает в области высокочистых углеродных материалов и карбида кремния. Благодаря непрерывным технологическим исследованиям, разработ...
Двойные преимущества проводимости и смазывания: высокочистый графитовый порошок 4N способствует развитию литий-ионных батарей и промышленного уплотнения
Высокочистый графитовый порошок 4N обладает содержанием углерода ≥99,99% и общим содержанием примесей ≤100 ppm. Благодаря слоистой кристаллической структуре графита, он обладает превосходной электр...
Прорыв в производстве высокочистого монокристаллического порошка: микропорошок 4H-SiC марки 5N укрепляет основы индустрии подложек из карбида кремния
В условиях продолжающегося развития полупроводниковой промышленности третьего поколения монокристаллические подложки из карбида кремния стали ключевым материалом для электромобилей, фотоэлектрическ...