Прорыв в производстве высокочистого монокристаллического порошка: микропорошок 4H-SiC марки 5N укрепляет основы индустрии подложек из карбида кремния 

В условиях продолжающегося развития полупроводниковой промышленности третьего поколения монокристаллические подложки из карбида кремния стали ключевым материалом для электромобилей, фотоэлектрических инверторов и радиочастотных устройств. Высокочистый микропорошок 4H-SiC марки 5N является незаменимым сырьем для выращивания кристаллов, эпитаксии и полировки пластин. Его единая гексагональная кристаллическая фазовая структура отличает его от порошка карбида кремния общего назначения типа 3C, создавая уникальное преимущество на нишевом рынке.

Этот продукт достигает чистоты 99,999%, при этом общее содержание металлических примесей строго контролируется и составляет менее 0,5 ppm. Доля кристаллической фазы 4H стабильно превышает 99%, что позволяет избежать дефектов подложки, вызванных поликристаллическими примесями из источника. Весь производственный процесс осуществляется с использованием герметичной упаковки с азотом для изоляции загрязняющих веществ из воздуха. Диапазон размеров частиц ориентирован на сверхтонкие характеристики от 50 нм до 5 мкм, подходящие для сценариев высокоточного производства, таких как плавка монокристаллов, прецизионная полировка пластин CMP и подложки для отвода тепла силовых устройств. Производители могут настраивать диапазон распределения размеров частиц в соответствии с требованиями своей производственной линии.

Что касается контроля качества, каждая партия продукции сопровождается базовым отчетом о проверке качества COA и отчетом о полноспектральном анализе примесей GDMS. Значения различных следовых металлических примесей полностью отслеживаемы, и продукт также поддерживается авторитетным тестированием и проверкой сторонней организацией SGS. Весь процесс контроля качества соответствует требованиям чистого производства в полупроводниковой промышленности. Продукт не входит в список товаров двойного назначения, экспортный процесс прост и стабилен, а фиксированные логистические маршруты позволяют доставлять продукцию в российско-язычные промышленные города, такие как Москва и Санкт-Петербург, в течение 12-15 дней, обеспечивая стабильное пополнение запасов для зарубежных производителей полупроводниковых материалов.

Практика промышленного производства показывает, что использование обычного поликристаллического порошка карбида кремния легко приводит к высокой плотности микротрубок и дислокаций в подложке, что значительно снижает выход годных чипов. Микропорошок 4H-SiC высокой чистоты 5N, благодаря своей чистой однофазной структуре и сверхнизкому содержанию примесей, может эффективно снизить частоту дефектов при выращивании монокристаллов и улучшить теплопроводность и электрическую стабильность подложек. С постоянным расширением мировых производственных мощностей по выпуску 8-дюймовых и 12-дюймовых подложек из карбида кремния, спрос на порошок 4H-SiC высокой чистоты, адаптированный для процессов выращивания кристаллов, неуклонно растет. Отечественная цепочка поставок порошка карбида кремния высокой чистоты постоянно совершенствуется, обеспечивая стабильную и надежную поддержку сырьем для производителей полупроводников третьего поколения как внутри страны, так и за рубежом.