От полировки до герметизации: как микропорошок кубического карбида кремния марки 3N расширяет возможности высокотехнологичного гражданского производства
На рынке полупроводниковых вспомогательных порошков третьего поколения микропорошок кубического карбида кремния 3C-SiC является фундаментальным функциональным сырьем, подходящим для множества отрас...
Значительное повышение чистоты: кубический карбид кремния 4N расширяет границы применения материалов.
Когда чистота SiC достигает 99,99%, а общее содержание примесей снижается до менее 100 ppm, микропорошок 3C-SiC марки 4N заполняет пробел между общим промышленным применением и высокоточными област...
Благодаря контролю примесей до 1/1 миллиона, графитовый порошок 6N соответствует самым высоким стандартам чистоты для полупроводников.
Высококачественный графитовый порошок 6N сверхвысокой чистоты обладает содержанием углерода ≥99,9999%, общим содержанием примесей ≤1 ppm, содержанием бора ниже 0,03 ppm и содержанием металлических ...