ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов  : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов
ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов  : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов

ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов

ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов . активно работает в области высокочистых углеродных материалов и карбида кремния. Благодаря непрерывным технологическим исследованиям, разработ...

Двойные преимущества проводимости и смазывания: высокочистый графитовый порошок 4N способствует развитию литий-ионных батарей и промышленного уплотнения

Двойные преимущества проводимости и смазывания: высокочистый графитовый порошок 4N способствует развитию литий-ионных батарей и промышленного уплотнения

Высокочистый графитовый порошок 4N обладает содержанием углерода ≥99,99% и общим содержанием примесей ≤100 ppm. Благодаря слоистой кристаллической структуре графита, он обладает превосходной электр...

Обзор отрасли: Инновации в области «зеленых» технологий стимулируют трансформацию и модернизацию индустрии карбида кремния

Обзор отрасли: Инновации в области «зеленых» технологий стимулируют трансформацию и модернизацию индустрии карбида кремния

Динамика индустрии новых материалов Глобальная индустрия карбида кремния ускоряет свою трансформацию и модернизацию, переходя от традиционного производства абразивных материалов низкого качества к ...

Прорыв в производстве высокочистого монокристаллического порошка: микропорошок 4H-SiC марки 5N укрепляет основы индустрии подложек из карбида кремния

Прорыв в производстве высокочистого монокристаллического порошка: микропорошок 4H-SiC марки 5N укрепляет основы индустрии подложек из карбида кремния

В условиях продолжающегося развития полупроводниковой промышленности третьего поколения монокристаллические подложки из карбида кремния стали ключевым материалом для электромобилей, фотоэлектрическ...

От полировки до герметизации: как микропорошок кубического карбида кремния марки 3N расширяет возможности высокотехнологичного гражданского производства

От полировки до герметизации: как микропорошок кубического карбида кремния марки 3N расширяет возможности высокотехнологичного гражданского производства

На рынке полупроводниковых вспомогательных порошков третьего поколения микропорошок кубического карбида кремния 3C-SiC является фундаментальным функциональным сырьем, подходящим для множества отрас...

Значительное повышение чистоты: кубический карбид кремния 4N расширяет границы применения материалов.

Значительное повышение чистоты: кубический карбид кремния 4N расширяет границы применения материалов.

Когда чистота SiC достигает 99,99%, а общее содержание примесей снижается до менее 100 ppm, микропорошок 3C-SiC марки 4N заполняет пробел между общим промышленным применением и высокоточными област...

<<<123>>> 2 / 3
Главная
Продукция
О Hас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение

Политика конфиденциальности

Спасибо за использование этого сайта (далее — «мы», «нас» или «наш»). Мы уважаем ваши права и интересы на личную информацию, соблюдаем принципы законности, легитимности, необходимости и целостности, а также защищаем вашу информационную безопасность. Эта политика описывает, как мы обрабатываем вашу личную информацию.

1. Сбор информации
Информация, которую вы предоставляете добровольно: например, имя, номер мобильного телефона, адрес электронной почты и т.д., заполнена при регистрации. Автоматически собирается информация, такая как модель устройства, тип браузера, журналы доступа, IP-адрес и т.д., для оптимизации сервиса и безопасности.

2. Использование информации
предоставлять, поддерживать и оптимизировать услуги веб-сайтов;
верификацию счетов, защиту безопасности и предотвращение мошенничества;
Отправляйте необходимую информацию, такую как уведомления о сервисах и обновления политик;
Соблюдайте законы, нормативные акты и соответствующие нормативные требования.

3. Защита и обмен информацией
Мы используем меры безопасности, такие как шифрование и контроль доступа, чтобы защитить вашу информацию и храним её только на минимальный срок, необходимый для выполнения задачи.
Не продавайте и не сдавайте личную информацию третьим лицам без вашего согласия; Делитесь только если:
Получите своё явное разрешение;
третьим лицам, которым доверено предоставлять услуги (с учётом обязательств по конфиденциальности);
Отвечать на юридические запросы или защищать законные интересы.

4. Ваши права
Вы имеете право на доступ, исправление и дополнение вашей личной информации, а также можете подать заявление на аннулирование аккаунта (после отмены информация будет удалена или анонимизирована согласно правилам). Чтобы реализовать свои права, вы можете связаться с нами, используя контактные данные, указанные ниже.

5. Обновления политики
Любые изменения в этой политике будут уведомлены путем публикации на сайте. Ваше дальнейшее использование услуг означает ваше согласие с изменёнными правилами.