Сверхчистый 3C-SiC 5N с содержанием примесей всего 10 ppm идеально подходит для передовых исследований и разработок в полупроводниковой отрасли.
Сверхчистый 3C-SiC 5N с содержанием примесей всего 10 ppm идеально подходит для передовых исследований и разработок в полупроводниковой отрасли.

Сверхчистый 3C-SiC 5N с содержанием примесей всего 10 ppm идеально подходит для передовых исследований и разработок в полупроводниковой отрасли.

Микропорошок сверхчистого 3C-SiC марки 5N обладает чистотой SiC 99,999%, при этом общее содержание примесей контролируется ниже 10 ppm, а содержание кубической β-фазы составляет ≥99%. Это передовое...

Микропорошок из черного карбида кремния с твердостью по шкале Мооса 9,5 подходит для традиционных промышленных процессов шлифовки.

Микропорошок из черного карбида кремния с твердостью по шкале Мооса 9,5 подходит для традиционных промышленных процессов шлифовки.

Микропорошок из черного карбида кремния содержит ≥98% SiC, при этом строго контролируется содержание оксида железа и примесей свободного углерода. Он обладает твердостью по шкале Мооса 9,5, демонст...

Делегация экспертов из Ланьчжоуского института химической физики Китайской академии наук (КАН) посетила префектуру Линься для изучения и координации преобразований в научно-технической сфере.

Делегация экспертов из Ланьчжоуского института химической физики Китайской академии наук (КАН) посетила префектуру Линься для изучения и координации преобразований в научно-технической сфере.

18 июня делегация профессоров из Ланьчжоуского института химической физики КАН посетила префектуру Линься и провела углубленные исследования и координацию с компанией Gansu Huarui Hongcheng New Mat...

Ключевое преимущество – монокристаллическая фаза; микропорошок 4H-SiC поддерживает выращивание монокристаллов полупроводников.

Ключевое преимущество – монокристаллическая фаза; микропорошок 4H-SiC поддерживает выращивание монокристаллов полупроводников.

В отличие от кубического 3C-SiC, 4H-SiC представляет собой гексагональный однофазный карбид кремния. Высокочистый порошок 5N обеспечивает долю кристаллической фазы 4H ≥99%, с общим содержанием мета...

ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов  : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов

ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов : технологические инновации — движущая сила развития, многочисленные ключевые патенты — залог конкурентоспособности в области высокочистых материалов

ООО Ганьсу Хуажуй Хунчэн Технологии новых материалов . активно работает в области высокочистых углеродных материалов и карбида кремния. Благодаря непрерывным технологическим исследованиям, разработ...

Двойные преимущества проводимости и смазывания: высокочистый графитовый порошок 4N способствует развитию литий-ионных батарей и промышленного уплотнения

Двойные преимущества проводимости и смазывания: высокочистый графитовый порошок 4N способствует развитию литий-ионных батарей и промышленного уплотнения

Высокочистый графитовый порошок 4N обладает содержанием углерода ≥99,99% и общим содержанием примесей ≤100 ppm. Благодаря слоистой кристаллической структуре графита, он обладает превосходной электр...

Главная
Продукция
О Hас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение

Политика конфиденциальности

Спасибо за использование этого сайта (далее — «мы», «нас» или «наш»). Мы уважаем ваши права и интересы на личную информацию, соблюдаем принципы законности, легитимности, необходимости и целостности, а также защищаем вашу информационную безопасность. Эта политика описывает, как мы обрабатываем вашу личную информацию.

1. Сбор информации
Информация, которую вы предоставляете добровольно: например, имя, номер мобильного телефона, адрес электронной почты и т.д., заполнена при регистрации. Автоматически собирается информация, такая как модель устройства, тип браузера, журналы доступа, IP-адрес и т.д., для оптимизации сервиса и безопасности.

2. Использование информации
предоставлять, поддерживать и оптимизировать услуги веб-сайтов;
верификацию счетов, защиту безопасности и предотвращение мошенничества;
Отправляйте необходимую информацию, такую как уведомления о сервисах и обновления политик;
Соблюдайте законы, нормативные акты и соответствующие нормативные требования.

3. Защита и обмен информацией
Мы используем меры безопасности, такие как шифрование и контроль доступа, чтобы защитить вашу информацию и храним её только на минимальный срок, необходимый для выполнения задачи.
Не продавайте и не сдавайте личную информацию третьим лицам без вашего согласия; Делитесь только если:
Получите своё явное разрешение;
третьим лицам, которым доверено предоставлять услуги (с учётом обязательств по конфиденциальности);
Отвечать на юридические запросы или защищать законные интересы.

4. Ваши права
Вы имеете право на доступ, исправление и дополнение вашей личной информации, а также можете подать заявление на аннулирование аккаунта (после отмены информация будет удалена или анонимизирована согласно правилам). Чтобы реализовать свои права, вы можете связаться с нами, используя контактные данные, указанные ниже.

5. Обновления политики
Любые изменения в этой политике будут уведомлены путем публикации на сайте. Ваше дальнейшее использование услуг означает ваше согласие с изменёнными правилами.